主流DDR内存横向评测(完整版)

2010-08-28 10:45:23来源:西部e网作者:

  虽然现在DDR2内存崭露头角,但是由于产能问题导致价格高高在上,难以普及。也正是因为这个原因,许多原本应该支持DDR2的主板纷纷改为支持DDR内存,另一方面,K8平台仍然以DDR内存为主。因此在DDR2内存产能问题解决之前,DDR内存还将是市场中的中流砥柱。

  年底内存价格不断下滑,正是升级内存的好时机,不过市场上内存品牌繁多,质量参差不齐,因此我们对市场上主流的内存进行了最严格的最优化参数测试、超频测试和稳定性、兼容性测试,打算购买内存的读者可以根据我们的测试结果找到最适合自己的内存产品。

  DDR内存,让我们看清楚

  速度无极限

  根据JEDEC(美国电子器件工程联合委员会)官方制定的DDR内存标准来看,目前最高的DDR内存标准仍然是PC3200,即我们常说的DDR400。DDR400也分不同等级,根据内存工作参数的不同,分为DDR400A、DDR400B和DDR400C三个等级。CL-tRCD-tRP参数值也在一定程度上影响到内存的性能,这几个值越小,内存信号传输的延迟时间就越短,自然性能更好。大家在购买的时候可以注意内存上的标贴,正规的品牌产品都会标出内存的详细工作参数(内存参数名词解释见小贴士)。

  另外,虽然各大内存厂商都已经推出了DDR433/466/500的产品,不过这些都是厂商自己定义的标准,并没有一个统一制定的官方标准。

  对于超频玩家来说,能达到更高工作频率的DDR500甚至DDR600才能满足他们的要求。特别是在最新的Socket939 K8平台上,由于K8的倍频没有锁定,完全可以通过降倍频升外频来提升系统性能,而在这样的平台上,达到300MHz以上的外频也是很寻常的事情,这样的需求也刺激内存厂商不断推出更高频率的产品。

  做工很重要
  
  对于内存来说,最重要的就是稳定性,而内存的做工水平直接会影响到内存的稳定性以及超频性能。我们在这里只介绍几点辨别内存做工水平的简单方法。

  PCB板设计:6层PCB板是标配。为了在高频下得到更好的抗干扰能力,JEDEC和Intel对DDR400内存的设计都要求必须使用6层PCB板。总的来说,PCB板上采用大面积铺铜的设计,一方面有利于散热,另一方面也有助于抗干扰,PCB上元件的排列过于紧密的话,元件之间的信号干扰也会增大,不利于内存的稳定性。

  金手指工艺:目前内存金手指镀金的工艺主要有电镀和化学镀两种。采用电镀工艺的金手指相对于采用化学镀的要耐用一些。要识别电镀或化学镀非常简单。从图中可以看到,由于制作工艺的需要,采用电镀工艺的金手指的末端一般会有一个小引脚,而采用化学镀就不会有这个引脚,用这个方法就可以初步判断金手指采用的镀金工艺。

  内存上的阻容元件:杂牌内存为什么这么便宜?我们可以从几个地方来简单地鉴别内存是否偷工减料。第一就是金手指旁边的一排电容,杂牌内存一般把这一排全省掉了;第二,内存的第一个金手指引出的线路中应该有一个电容,用来过滤杂波;第三,一般来说每一个内存芯片的参考电压针脚引出的电路(一般线路都比较宽)中也应该有去耦电容。

  通过上面简单的方法我们已经可以初步判断一款内存的做工好坏。不过内存颗粒本身的品质对于内存的超频性来说也是非常重要的。所以出现做工普通的内存但超频性能出众这样的情况也并不奇怪。但可以肯定的是,做工好的内存在稳定性和耐用程度上,大大好于做工差的产品。

  小贴士

  内存参数名词解释

  CAS(Column Address Strobe) Latency:列地址选通脉冲延迟时间,即SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小,内存的反应速度越快,可以设置为2.0、2.5、3.0。我们一般简称其为CL值。
RAS-to-CAS delay(tRCD):从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从SDRAM行地址选通脉冲(RAS,Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期,也是从1~15可调节,越小越快。

  Row-precharge delay(tRP):内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新SDRAM之前,行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期,从1~7可调,越小越快。

  Row-active delay(tRAS):内存行地址选通延迟时间,供选择的数值有1~15,数值越小越快。

  测试方案简述

  本次测试我们一共收到了来自6家厂商的送测产品,另外还加入了在市场中购买的HY散装DDR400以及英飞凌DDR400内存。考虑到目前实际应用的情况,我们选择的是256MB×2的双通道套装,另外还加入了几款DDR500以上、512MB高端内存的测试。测试分三大部分,第一部分是优化时序测试,主要考查内存所能达到的最低延迟参数(用CPU-Z读取内存SPD参数信息);第二部分包括超频测试,考查内存在默认参数下能达到的最高频率与性能;第三部分,针对目前的主流主板进行兼容性测试(分别在K8T800Pro、i915G、i865PE平台上运行SuperPI测试)。

  测试平台方面,主板和CPU的选择非常重要。首先主板必须能支持AGP/PCI锁频,否则在高外频下,同时升高的AGP/PCI频率会导致显卡、声卡工作异常,使得超频失败。CPU的选择也很重要,因为只有在FSB频率∶DRAM频率为1∶1的情况下,才能完全发挥内存的性能。因此,我们选择了ABIT IS7(i865PE)主板和一块可以调节倍频的工程版P3 3.2C GHz,在设置CPU倍频为8的情况下,CPU可以稳定工作在270MHz外频以上。此外,为了保证CPU不成为超频的瓶颈,我们还将CPU电压提升到1.625V。而为了完全发挥DDR500以上内存的实力,我们选择了可以达到300MHz以上外频的Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro主板。

  至于用于考查内存超频后稳定性的软件,我们选择了SuperPi,同时其它性能测试软件也可以在一定程度上考验内存的稳定性。不过,即便内存可以长时间正常运行SuperPi,但是也不能完全保证内存在更高强度、更长时间的运行情况下也能稳定工作,但这并不影响我们对内存稳定性的对比测试,这样的测试结果仍然具备参考价值。

  最后根据测试的结果,我们会选出超频性能和性能突出的产品进行推荐。

  测试平台
  CPU: P4 3.2C GHz(工程版,倍频设置为8,工作电压设置为1.625V)
  Athlon64 3000+(Socket754,将倍频设置为5)
  P4 530 (3.0E GHz)
  主板:ABIT IS7 (i865PE)
  ABIT KV8 Pro (K8T800Pro)
  ASUS P5GDC DELUXE (i915P)
  显卡:Radeon 9800SE
  硬盘:希捷7200.7 80GB
  操作系统:WinXP Professional English+SP1
  DirectX9.0c
  测试软件:SuperPi 8.1(用于拷机)
  CPU-Z 1.24(用于读取SPD信息)
  SiSoftware Sandra2004SP2
  PCMark04
  DOOM3
  注:测试中内存电压统一设置为2.7V,DDR400内存的最优化参数测试在ASUS P5GDC-DELUXE主板上完成,DDR400组超频测试在ABIT IS7主板上完成,DDR500以上组的最优化参数与超频测试在 ABIT KV8 Pro主板上完成,超频以5MHz为一级逐级递增。

  参测产品一览

  DDR400组(256MB×2)
  A-DATA威刚
  Vitesta DDR400
  单条参考价格:390元
  威刚给自己的中低端产品命名为V-DATA系列,而高端则命名为A-DATA。本次测试我们收到的是两条A-DATA Vitesta DDR400 256MB内存。和低端的V-DATA不同,A-DATA系列加装了红色的散热片,在超频的时候有更好的散热性能。把A-DATA Vitesta散热片取下来后,可以看到,A-DATA Vitesta采用了PSC(力晶半导体)的5ns颗粒,编号为A2S56D30BTP -5,刚好符合DDR400的要求。

  A-DATA Vitesta的PCB板边沿还标上了PCB的层号,正面可以看到第一、二、三层的编号,反面可以看到第四、五、六层的编号。

  A-DATA Vitesta整体做工中规中矩,不过既然A-DATA Vitesta定位高端,那它一定有过人之处,那就是它的CL-tRCD-tRP参数为2.5-3-3,达到了DDR400A的标准。对于不超频的用户,A-DATA Vitesta能提供DDR400内存所能达到的最好性能。

  Apacer宇瞻
  金牌DDR400
  单条参考价格:340元
  宇瞻送测的是Apacer金牌DDR400内存。最引人注目的地方就是内存颗粒上的Apacer金属标牌。Apacer金牌DDR400内存采用了和A-DATA DDR400同样的PCB板设计(惟一不同的是金手指采用化学镀金工艺)。虽然在元件方面,并不算特别突出,但Apacer金牌DDR400内存采用了英飞凌的颗粒,编号为HYB25D256807BT -5,标准频率为200MHz,也是口碑比较好的型号。

  Apacer金牌DDR400的CL-tRCD-tRP参数为3-4-4,只达到DDR400C的标准,不过Apacer这款内存的CL-tRCD-tRP参数对于这样的内存颗粒来说设置得也太保守了。

  FUHAO富豪
  富豪DDR400
  单条参考价格:335元
  富豪本次送测的DDR400内存和以往的产品不一样,没有采用现代的内存颗粒,而是采用的是茂矽的内存颗粒,编号为V58C2256804SAT5B,可以看出是5ns的产品,标准频率为200MHz,符合DDR400的要求。以前金士顿也采用过茂矽的颗粒,而且那一批内存的超频性能相当不错。在做工方面,FUHAO富豪DDR400并没有特别引人注目的地方,算是中规中矩,用料也比较充足,没有空焊点,金手指采用了电镀的工艺。FUHAO富豪DDR400的CL-tRCD-tRP参数为3-3-3,达到DDR400B的水平,即便是在不超频的情况下,也能提供不错的性能。

  Hynix散装内存
  散装 DDR400
  单条参考价格:270元
  我们购买的这种Hynix散装内存是市场中最常见的内存,在做工方面,可以说是最差的,金手指旁边的元件全部被省略了,去耦电容一个也没有,留下一堆空焊点,PCB板背面没有采用大面积铺铜,金手指采用的是化学镀工艺,而且看起来也不够饱满。可以说在做工方面,这款内存是偷工减料的“典范”。而且,内存标签上的内存规格也不符合标准,把DDR400标成了PC400。



  不过,我们购买到的Hynix散装内存采用的现代内存颗粒,编号为HY5DU56822BT -D43(不过杂牌内存的颗粒编号经常会有变动,同时也有打磨等情况发生),批号为333AP,按道理这一批内存颗粒在DIY玩家中的口碑还可以。当然,大家最好不要购买杂牌散装内存,因为现在大部分散装内存都是采用打磨过的内存颗粒,像我们购买的这种相对“好成色”的散装内存已经不容易买到了。同时,尽管测试时它没有出现故障,但我们非常怀疑它能否长期稳定使用。


花絮:购买该内存时,经销商居然直接告诉我们:我卖的内存是打磨的,你要不要?我们对这样的坦白非常惊讶。

Infineon英飞凌
星河 DDR400
单条参考价格:365元
这一对Infineon英飞凌原装内存是我们从市场中购买而来,品牌为“星河”,从标签上可以看出它是在马来西亚封装的。包装十分坚固、豪华。Infineon英飞凌内存采用英飞凌的HYB25D256800CE -5颗粒,符合200MHz工作频率标准。值得一提的是,Infineon英飞凌的标签上遵守JEDEC的官方规定,标注了内存模组的型号:PC3200U-30330-A0。而其它参测的内存除了三星原厂内存外,都没有按此规定进行标注。

可以看到Infineon英飞凌内存的整体做工相当豪华,PCB板上的阻容元件比普通内存要多得多,去耦电容一个不少,而且大量使用了蛇形线,有利于减少干扰信号,保持内存的稳定性。PCB板背面采用大面积铺铜的设计,可以增强散热效果,同时也可以屏蔽一些干扰信号,同时,金手指也采用了电镀工艺,保证了良好的导电性和耐用性。可见Infineon英飞凌内存在PCB板设计方面相当出色,在做工方面可以说是不惜成本。

Infineon英飞凌内存的SPD信息显示它的CL-tRCD-tRP参数为3-3-3,达到DDR400B的标准,不过对于它使用的颗粒来说,这个数值显得相对保守了。

KingMAX胜创
炫彩 DDR400(TinyBGA)
单条参考价格:330元
本次KingMAX胜创送测的是炫彩系列的DDR400模组。采用了KingMAX自己独特的紫红色TinyBGA颗粒,编号为KDL388N4AA -44,4.4ns的颗粒对于DDR400(5ns)标准来说,还有一定的超频空间。KingMAX胜创炫彩DDR400采用了金色的PCB板,由于TinyBGA芯片面积比TSOP小很多,它的PCB板面积也比使用TSOP颗粒的要小不少,这个特点对于机箱内空间比较挤的用户来说有一定好处,同时更小的面积也使得内存的发热量更小,有利于系统的稳定。

KingMAX胜创炫彩DDR400默认CL-tRCD-tRP参数为2.5-4-4,不在JEDEC的标准之内,不过我们估计它应该与DDR400B规格比较接近。

Kingston金士顿
ValueRAM DDR400
单条参考价格:315元
Kingston金士顿送测的是它的ValueRAM系列产品,大家都知道,金士顿的ValueRAM主要突出性价比,面向中低端市场,而HyperX系列才是面向发烧友的产品。虽然是面向中低端用户,Kingston金士顿ValueRAM的做工仍然毫不含糊,PCB板上可以清楚地看到每一个内存颗粒的参考电压引脚前的去耦电容,并且在PCB板背后,大量采用了铺铜的设计方式以增强散热效果、减少干扰。产品的标签上标明了内存模组的编号,并且采用了激光防伪技术,大家在购买的时候可以注意这一点,以免买到假冒产品。

目前金士顿的ValueRAM系列采用的是自己的内存颗粒,编号为D3208DL3T-5A,额定工作电压为2.6V,高于DDR标准的2.5V。CL-tRCD-tRP参数为3-3-3,符合DDR400B的标准,当然,金士顿内存一向可以将CL-tRCD-tRP参数设置得相当低,以获得标准频率下最好的性能,相信这一款也不例外。

Samsung三星
金条 DDR400
单条参考价格:350元
来自三星原厂的三星金条整体做工相当不错,PCB板设计与金士顿ValueRAM比较相似,而又有少许不同之处。PCB板上元件齐全,没有任何空焊点,而且焊点饱满整齐,可见制造工艺精良。另外,在PCB板的边缘也标上了“Samsung”的字样,大家可以凭借这一点辨别三星金条内存的真伪。除了在PCB板背面使用铺铜设计外,金条 DDR400的金手指也采用了电镀工艺,保证了金手指的耐用性。内存标签上按照JEDEC的官方标准标出了产品的规格:PC3200U-30331-Z,从这串编号就可以看出,这款内存的CL-tRCD-tRP参数为3-3-3,符合DDR400B的规格,这与我们用CPU-Z所测SPD信息相符合。作为国际大厂,三星遵守国际标准的做法值得肯定。

这款金条DDR400采用了三星的内存颗粒,编号为K4H560838F -TCCC,根据编号定义,我们可以知道它的额定工作频率为200MHz,CL值为3。


DDR500以上组(512MB)
A-DATA 威刚
Vitesta DDR500
参考价格:880元
Vitesta DDR500内存和Vitesta DDR400采用了同样的PCB板设计,可以观察到PCB板的层数编号,做工十分精细。只是由于容量增加,所以在PCB板背面也有8颗内存颗粒,因此一共有16颗内存颗粒。
拆开Vitesta DDR500豪华的散热片,我们可以看到,Vitesta DDR500采用的是A-DATA自己的内存颗粒,编号为ADD8608A8A -4B,可以看出这是4ns的颗粒,符合250MHz即DDR500的工作频率要求。

Apacer 宇瞻
宇瞻 DDR500
参考价格:1100元
宇瞻这款DDR500也采用了双面共16颗内存颗粒的设计,PCB板上可以看到Apacer的金属字样。它采用了三星的内存颗粒,编号为K4H560838F -TCCD,这也是三星推出的符合DDR500标准的内存颗粒,工作频率为250MHz。
我们仔细观察后发现,这款DDR500内存上使用的三星颗粒并不全是一批次的产品,其中有4颗内存颗粒采用了不同批次的产品,不过编号还是K4H560838F -TCCD。也许这样会在一定程度上影响内存的超频性能。

KingMAX 胜创
Hardcore DDR500
参考价格:900元
KingMAX把自己的DDR500高端产品命名为Hardcore,相信也是对其性能有十足的信心。这款Hardcore DDR500也采用了双面16颗内存颗粒的设计,同时为了保证良好的散热性,Hardcore DDR500还加装了散热片。

将散热片取下来后,可以看到它采用的是现代的内存颗粒,编号为HY5DU56822DT -D5,满足250MHz工作频率的需要,不过,我们发现这款内存采用了多个不同批次的HY5DU56822DT -D5颗粒,到底它会不会影响内存的超频性能呢?我们后面的测试会证明一切。

Kingston 金士顿
HyperX DDR533
参考价格:不详
本次金士顿送测的HyperX内存是一款DDR533规格的套装产品,共有两条,总容量为1GB,这也是专门为双通道用户做准备的,不过我们本次只对其中一条进行测试,方便大家对比。
拆开牢固的散热片之后,我们可以看到它采用的也是HY5DU56822CT -D5内存颗粒,同样采用了不同批次的颗粒,这款颗粒的额定工作频率是250MHz,那么这款内存其实就已经被略微地超了频了,当然,我们相信金士顿的技术能保证它在266MHz的频率下也能稳定地工作。

最优化参数测试
在最优化参数下工作的内存可以获得不超频情况下最好的性能,这也是考查内存稳定性的一个指标。不过对于DDR500以上规格的内存,由于让它们工作在额定频率下的时候系统本身就处于高度超频状态,受到系统的影响难以统一对比的规则,所以我们在这里只对DDR500以上内存进行超频测试而不进行最优化参数测试。另外,虽然JEDEC只对CL-tRCD-tRP参数进行了规定,但是在这三个参数相同的情况下,我们还会加入tRAS这个参数来进行考核。

测试中英飞凌DDR400和金士顿DDR400表现相当出色,达到了2-3-3-5的参数值,可惜的是在冲击2-2-2-5的时候失败了,无法完成测试。有意思的是,做工最烂的Hynix杂牌内存居然也达到了2-3-3-5的水平,这比许多名牌内存还要好,这在很大程度上是沾了HY5DU56822BT-D43颗粒的光,这也说明有时候采用好的颗粒比好的做工还要重要(尽管测试成绩如此,但是我们奉劝消费者,一定要优先考虑内存的使用稳定性和兼容性)。另外,Apacer的DDR400也表现不错,达到了2-3-3-6的水平,这与它采用英飞凌颗粒也有很大关系。

大家从测试结果也可以看到,在DDR400频率下,即便是采用最优化参数,内存性能也只比默认参数时高很少一点点,远远比不上频率提升带来的性能差异。不过,可以达到更低的延迟参数也就从另一方面体现了内存的稳定性,因此在选购的时候也显得很有意义。

极限频率测试
我们所选择的P4平台可以轻松地达到300MHz的外频,而另一个K8平台可以达到320MHz外频,因此不会给参测的内存造成瓶颈。并且我们选择的是FSB∶DRAM为1∶1,因此大家可以清楚地看到频率提升带来的内存带宽提升(如果不是1∶1则其中有一方会影响内存带宽)。

对DDR400内存进行测试的时候,我们采用了P4平台,在这个平台上,英飞凌和Apacer的产品表现得最为出色,能稳定地在250MHz下运行完所有的测试,达到了DDR500的水平。而且大家可以看到,从DDR400提升到DDR500之后,内存带宽提升了8%左右。另外,KingMAX、富豪、三星的DDR400内存都达到了240MHz的水平。A-DATA的DDR400在测试中达到235MHz的频率,算是DDR470的水平,还算不错。只是Kingston的表现有点出人意料,只达到了225MHz的水平,Hynix杂牌内存垫底,只达到了215MHz的水平。

对DDR500以上组进行超频测试的时候,我们采用的是Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro的平台,在倍频为5的情况下,可以轻松上到320MHz以上的外频,能达到320MHz外频的DDR500内存并不多,因此CPU和主板不是瓶颈。

A-DATA的DDR500采用A-DATA自己的4ns颗粒,在测试中表现突出,非常稳定地工作在280MHz的频率下,相当于DDR560的水平,而采用三星-TCCD颗粒的Apacer DDR500和采用现代 -D5颗粒的金士顿HyperX DDR533也表现不错,达到了275MHz的频率,相当于DDR550。另一款采用现代 -D5颗粒的KingMAX DDR500稍微差一点,不过也达到了265MHz的水平,也算不错了。

总 结
从本次测试来看,所有参加测试的品牌内存都非常稳定地完成了所有的测试,没有出现任何问题,所以在兼容性和稳定性上,参测的大厂品牌内存都值得信赖。大家也可以看到,在i865PE平台上测试时,双通道DDR400的确表现出了明显的内存带宽优势,当使用英飞凌DDR400和Apacer DDR400超到DDR500后,内存实测带宽更是达到了52XXMB/s的水平,相对DDR400时提升不少,更何况此时CPU外频也达到了250MHz,系统整体性能得到了较大的提升。

由于内存的超频性能在很大程度上由内存颗粒决定,所以采用好的内存颗粒甚至比好的做工更为重要,当然,如果颗粒和做工都出色的话,一定是非常优秀的内存产品。本次横向测试中的英飞凌DDR400和Apacer 金牌DDR400都采用了英飞凌的内存颗粒(编号为HYB25D256800CE -5和HYB25D256807BT -5),超频性能及整体性能都相当出色,因此获得了我们的“编辑推荐奖”。同时,采用茂矽颗粒(编号为V58C2256804SAT5B)的富豪内存和采用三星颗粒(编号为K4H560838F -TCCC)的三星原厂内存、采用自己内存颗粒的KingMAX 炫彩内存(编号为KDL388N4AA -44)也表现不错,可以达到DDR480的水平。

DDR500以上组里,采用A-DATA自己颗粒的A-DATA DDR500获得不错的成绩,达到了DDR560的水平,获得了我们的“编辑推荐奖”。采用三星K4H560838F -TCCD颗粒的Apacer DDR500和采用HY5DU56822CT -D5颗粒的金士顿HyperX DDR533紧随其后,达到DDR550的水平。采用现代HY5DU56822DT -D5颗粒的KingMAX DDR500表现稍逊于前两者,只达到DDR530的水平。

当然,并不是每个人的CPU都可以达到这么高的外频,那么我们的最优化参数测试就体现出了价值。在不超频的时候,使用最优化参数也能获得一定程度的内存性能提升。最优化参数测试里,金士顿的ValueRAM DDR400以及英飞凌的DDR400表现最出色,CL-tRCD-tRP-tRAS参数可以达到2-3-3-5的水平。并且金士顿内存还提供了终生质保,这一点也非常重要。

主流的P4平台和K8平台,对规格的最低要求已经是DDR400,而对于超频玩家来说,将处理器外频超到200MHz以上,甚至是300MHz也是很普通的事情,因此DDR内存还将继续进化,玩家的需求也会从超频性能出众的DDR400逐渐过渡到DDR500、DDR533甚至DDR600,直到明年晚些时候DDR2内存大行其道的时候,DDR内存的历史使命才正式完成。

关键词:DDR内存

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